西数计划在年底前量产162层NAND 目标到2024年超过200层
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西部数据与合作伙伴Kioxia一起，刚刚让我们看到了他们未来几年NAND发展的路线图。该公司计划很快推出其第六代BiCS，它将具有162层的TLC和QLC结构。
考虑到美光等竞争对手已经有176层NAND一段时间了，这听起来可能不是那么令人印象深刻，但西数声称他们将通过使用一种新材料来缩小存储单元的尺寸，从而使芯片尺寸更小。这将使他们能够制造出更便宜的存储设备，而且性能同样出色。BiCS6 3D NAND的大规模生产计划在2022年底开始，西部数据计划在从廉价USB驱动器到PCIe 5.0固态硬盘的产品中使用这些芯片。
西部数据还谈到了他们即将推出的具有200多层的BiCS+闪存，该产品将于2024年上市。与BiCS6相比，它的特点是每片晶圆增加55%的比特，传输速度提高60%，写入速度提高15%。值得注意的是，BiCS+仅用于数据中心的固态硬盘，因为该公司计划为消费者存储提供不同级别的2xx层NAND，被称为BiCS-Y。
西部数据还分享说，他们正在研究多种技术，以提高密度和容量，包括PLC，他们计划在未来十年内建立具有500层以上的NAND。
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