内外存合一：非易失性UltraRAM存储器制造研究取得新进展

研究配图 - 1：设备概念示意（来自：Advanced Electronic Materials）

据悉，融合型随机存取存储器并不是一个全新的想法。相关研究并未被冷落，只是到目前为止，尚未有一家公司能够将这一概念转化为成功的、广泛使用的商业产品。

本月早些时候，英国兰卡斯特大学物理与工程系的研究团队发表了一篇论文，其中详细介绍了使 UltraRAM 更接近大规模生产方面取得的重要进展。

研究配图 - 2：硅上材料属性

UltraRAM 技术的独特之处，在于结合了闪存的非易失性和动态随机存储器（DRAM）的速度、能效、耐用性等各自优势。

这句话听起来有些耳熟，因为英特尔的傲腾（Optane）产品线，就旨在弥合 DRAM 与 NAND 之间的差距 —— 尽管成效仍相对有限。

此外三星有在研发所谓的 Z-NAND，铠侠与西部数据也希望将 XL-FLASH 集成到未来的消费 / 企业级存储解决方案中。

研究配图 - 3：三份样品的衍射峰平面内极图

制造 UltraRAM 的材料，与用于 LED、激光器、光电二极管 / 晶体管等半导体化合物相同。

该校研究团队取得的新突破，就是在传统硅衬底上提升了它的性能表现。如果换成砷化镓晶圆，其成本将暴涨千倍。

得益于此，UltraRAM 有望成为兼具成本效益的内存解决方案。

研究配图 - 4：数据保持 / 耐久性

更棒的是，研究团队宣称原型测试设备可达成千年的数据保持能力，且具有超千万次 P/E（编程 / 擦除）周期而不退化的耐久性。

若是能够像随机存储器（RAM）那样长寿，科技企业显然会欣然接受 UltraRAM 的商用。

此外这项技术灵活运用了所谓“共振隧穿”的量子效应，能够让势垒在施加电压的情况下从不透明变得透明。

研究配图 - 5：制造 UltraRAM 存储单元的工艺流程

与 RAM / NAND 中使用的切换技术相比，UltraRAM 的该过程非常节能，因而有望在移动设备上取得广泛的应用，让电池的续航时间变得更长久。

最后，UltraRAM 能够运用于高 bit 密度的紧凑架构，理论上允许制造商在单个芯片中塞下更多的存储容量。不过该校研究团队坦承，他们仍需深入改进存储单元的制造工艺。

如果一切顺利，这项有趣的技术将带来巨大的内存计算潜力 —— 因为它消除了让数据在内存 / 外存之间来回传输的需求，且具有极佳的非易失性能。

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